据路透社等媒体当地时间9月29日报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo对外披露HBM产能占比预期，预计2027年HBM将占据全球DRAM厂商晶圆总产能近30%，当前这一比例约为20%。

Kim Taewoo表示，HBM与传统DRAM共用同一套晶圆产能资源，行业持续扩大HBM产出，或将挤压传统DRAM的供给空间。HBM作为AI服务器核心存储器件，在算力需求拉动下，存储厂商持续把更多晶圆投放到HBM产品生产。

全球高科技研究机构TrendForce集邦咨询最新研究显示，在整体存储器价格维持上行趋势的情况下，供应商对2027年HBM涨价态度亦更为明确，为反映整体供应持续紧张，以及高价HBM4占比提升、HBM4e于2027年下半年逐步放量所带来的影响，TrendForce集邦咨询上修明年HBM价格展望，预估Blended ASP年增幅度将达121%。

TrendForce集邦咨询认为，HBM容量下调并不代表每单位容量（per Gb）价格将同步降低。由于每颗HBM均需搭载一颗Base Die，相关成本不会随堆叠层数减少而等比例下降；8hi产品可分摊Base Die成本的DRAM容量低于12hi，因此换算后的per Gb成本反而较高。TrendForce集邦咨询预估，2027年8hi产品的per Gb价格可能较12hi溢价约10%~20%。

三星方面同步披露自身HBM产品迭代规划。该公司已于今年2月实现HBM4量产出货，5月向包含英伟达在内的客户送出12层HBM4E样品。