东芝存储器总部位于美国的子公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）今天宣布推出新的存储器（SCM）解决方案：XL-FLASH 。

XL-FLASH是基于该公司创新的BiCS FLASH 3D闪存技术，每单元1比特SLC，将为数据中心和企业存储带来低延迟和高性能的解决方案。样品将于9月开始出货，预计将于2020年开始量产。

图片来源：东芝官网

介于DRAM和NAND Flash之间，XL-FLASH的速度快，延迟低，并且有更高的存储容量。和传统DRAM相比它的成本也更低。一开始XL-FLASH是被布局在SSD产品上，但之后也会应用在DRAM的产品上，比如将来行业标准的非易失性双列直插式内存模块(NVDIMMs)。

主要特点

128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封装） ；

4KB Page大小，高效的操作系统的读写 ；

16-plane更高效的并行架构 ；

快速的读取页面和编程时间，XL-Flash提供小于5微秒的低读取延迟，比现有TLC快10倍。

东芝存储器子公司TMA存储业务部高级副总裁兼总经理Scott Nelson表示，“借助XL-FLASH，我们为超大规模制造商和企业服务器/存储供应商提供了一种更具成本效益，更低延迟的存储解决方案，弥补了DRAM与NAND性能之间的差距。”

注：本文根据东芝官网文章编译，原文链接：https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/memory-20190805-1.html

图片声明：封面图片来源于东芝官网。