半导体新闻网日前，天成半导体官微宣布，依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

据悉，天成半导体现已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且自研的长晶设备可产出直径达到350㎜的单晶材料。

资料显示，天成半导体成立于2021年8月，是一家专注于第三代半导体碳化硅衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。

近年来，天成半导体在碳化硅领域取得了诸多重要进展，率先研发出可量产的8-12英寸导电型和半绝缘型碳化硅单晶材料。

2022年实现了6英寸导电型和半绝缘型碳化硅晶锭的小批量生产；2023年6月实现8寸SiC单晶技术研发突破，开发出了直径为 202mm 的8寸SiC单晶；2024年实现了8英寸SiC单晶批量生产，产品厚度均匀性误差小于2微米。

今年7月，天成半导体宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料，攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺，其创新采用的电阻炉工艺使晶体生长速度突破0.4mm/h的行业瓶颈，微管密度降至0.5个 /cm² 以下，良率达到65%。

截至目前，天成半导体已形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、6-12英寸碳化硅单晶材料生长、生产耗材加工等完整的生产线。实现了从碳化硅长晶设备制造、粉料、籽晶、热场设计到晶体加工等全流程工艺完全自主可控。