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    iDEAL半导体宣布推出具有行业领先性价比的200 V SuperQ™ MOSFET系列

    来源:iDEAL半导体 2025-09-04 15:17产业资讯

    iDEAL半导体宣布推出具有行业领先性价比的200 V SuperQ™ MOSFET系列

    宾夕法尼亚州里海谷,2025年8月28日 – iDEAL半导体宣布,其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款产品已进入量产阶段,另外四款200 V器件现已提供样品。

    SuperQ是硅MOSFET技术在超过25年来的首次重大进步,突破了长期存在的开关和导通限制。它在性能和效率方面实现了阶跃式提升,同时保留了硅的核心优势:坚固性、高产量制造能力,以及在175 °C下的可靠表现。

    首款进入量产的200 V器件是iS20M028S1P,这是一款25 mΩ的MOSFET,采用TO-220封装。iDEAL的最低电阻200 V器件现已在TOLL和D²PAK-7L封装中提供样品,其最大RDS(on)仅为5.5 mΩ。这树立了新的性能基准,其电阻比当前市场领先者低1.2倍,比次佳竞争对手低1.7倍。

    “通过将SuperQ扩展到200 V,iDEAL证明了硅创新远未结束,”iDEAL半导体首席执行官兼创始人Mark Granahan表示。“这些结果表明,我们可以在保持硅的可制造性、可靠性和成本优势的同时,提供最低电阻和卓越的开关性能。这是我们公司以及希望推动效率进步的客户的一个重大里程碑。”

    200 V SuperQ系列的目标应用包括电机驱动、LED照明、电池保护、AI服务器、隔离DC/DC电源模块、USB-PD适配器和太阳能。随着器件进入生产阶段并提供行业领先的样品,iDEAL正在加速与高增长功率市场客户的合作。

    有关详细规格和可用部件编号的完整列表,包括5.5 mΩ样品器件,请访问www.idealsemi.com。

    关于iDEAL半导体

    iDEAL Semiconductor Devices, Inc.是一家行业领先的下一代硅功率器件开发商。

    公司成立的使命是将硅推向其感知极限。其专利SuperQ技术使用常规CMOS工艺实现突破性能效,而不偏离硅的可靠优势。该平台技术适用于广泛的产品、应用和半导体材料,专为减轻每个应用的功率损耗而设计,并将为下一代提供更环保的能源使用。

    iDEAL总部位于宾夕法尼亚州里海谷,更多信息请访问idealsemi.com。

    (文章为作者独立观点,不代表半导体新闻网立场,版权疑问请联系客服。)
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