电子芯片网消息，8月20日，美光科技对外公布一项长期研发规划，未来十年投入100亿美元打造美光研究实验室（Micron Research Labs），基地选址位于公司总部所在地、爱达荷州首府博伊西。

实验室建设工期已经明确，2027年正式动工，园区建成之后可以容纳数百名研发人员入驻。研发方向覆盖下一代基础内存技术、存算一体架构、先进封装工艺、前沿半导体制造等多个长线课题，不局限于当下HBM、DRAM已经落地的产品路线，瞄准AI时代远期存储技术瓶颈开展攻关。园区还会定期举办行业研讨会、技术论坛，打造面向存储产业的开放式科研平台。

本次百亿研发专项，独立叠加在美光此前已经对外公布、到2035年美国制造及研发总投入超2500亿美元的规划之上，属于原有扩产计划之外的增量研发投入。这项总投资将落地纽约、爱达荷、弗吉尼亚多处生产基地，目标实现40%的DRAM产能在美国本土完成制造。