高塔半导体（Tower Semiconductor）25 日表示，将把日本打造成大型光通讯连结中心，投资约 40 亿美元扩充硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应 AI 基础设施快速成长的需求。

高塔表示，这项投资将分成两阶段。 第一阶段是将新潟县荒井闲置的 Fab 6 转成 300mm 制程的硅光子与先进光学封装厂，同时提升富山县鱼津 Fab 7 的 SiGe 与 SiPho 产能。 高塔预估，此阶段可在 2027 年第四季达全面量产准备。

第二阶段是 Fab 7 旁新建另一座 300mm 晶圆厂，放大 SiGe EIC 与 SiPho PIC 产能。 Tower 表示，这座新厂将与既有产线形成互补，让日本据点同时具备元件制造与光学引擎组装能力，并为后续导入共同封装光学（CPO）铺路。

高塔估算计划完成后，日本产能到 2029 年将提升至每月 4.5 万片 300mm 晶圆，约为 2025 年水准的 40 倍。 公司也预计新增约 200 名员工，并指出这项扩张将有助于强化日本在 AI 相关基础设施供应链的地位。

资金安排方面，高塔投资 30 亿美元，日本经济产业省补助 10 亿美元，合计约 40 亿美元。 高塔说日本有成熟的技术基础与熟练人才，是选择加码投资的重要原因。