会上，多个超百亿元产业项目签约，国家第三代半导体技术创新中心（南京）集中发布重大科技攻关成果，同时宣布一期项目竣工投产。

此次集中签约的项目，形成了从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，包括三晶第三代半导体精密装备及材料产业化项目等。

会上，国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台成果发布，涉及SiC MOSFET、功率模块等关键技术。据悉，该中心将攻坚“新能源汽车用高电流密度高可靠碳化硅MOSFET产品”和“面向智能电网和高铁应用的高压大功率碳化硅电力电子器件”两大产品方向，从碳化硅电力电子的基础理论、材料生长、器件制备、系统应用等四个方面，联合生态伙伴共同攻关。

当前，国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目已经竣工投产，随着一期项目投运，二期项目的建设也排上日程，媒体报道二期项目将于2024年开建，规划年产20万片8英寸圆片。